分立器件試驗條件，判定標準
文章出處：易升儀器 人氣：發(fā)表時間：2022-06-08 13:46:09
分立器件試驗條件，判定標準應用于各種封裝的的二、三極管、橋堆、mosfet和可控硅等分立器件進行高溫反偏老化試驗系統(tǒng)、高溫反偏高溫柵偏試驗（htrb/htgb）、高溫漏電流測試（htir）和老化篩選：
| 試驗項目 Test Item | 試驗條件 Test Condition | 參考標準 Reference document | 選樣數(shù) Sample size | 判斷標準 (A/R) |
|---|---|---|---|---|
| 高壓蒸煮試驗 AC(Autoclave) | 121 ℃, 29.7 psi, 100% RH, 96hrs | JESD22-A102 | 22/45/77 | 0/1 |
| 高加速老化試驗 HAST(Highly Accelerated Stress Test) | TA =130℃, 85% RH, 230Kpa, Vds=80%Spec(42V max) 96hrs | JESD22-A110 | 22/45/77 | 0/1 |
| 高溫反偏試驗 HTRB(High Temperature Reverse Bias) | TJ = 150℃/specified TJ(max),Vds=80%Spec 1000Hrs | JESD22A-108 AEC-Q101 | 22/45/77 | 0/1 |
| 高溫柵極反偏試驗 HTGB(High Temperature Gate Bias) | TJ = 150℃/specified TJ(max),Vgs=100%Spec 1000Hrs | JESD22A-108 AEC-Q101 | 22/45/77 | 0/1 |
| 高溫高濕偏壓 H3TRB(High Humidity, High Temperature Reverse Bias) | 85℃；85% RH； Vgs=80%spec 100V MAX,1000Hrs | AEC -Q101 JESD22A-101 | 22/45/77 | 0/1 |
| 恒溫恒濕實驗 THT(Temp/Humidity Test) | Ta = 85℃ 85%RH | JESD22-A101 | 22/45/77 | 0/1 |
| 高溫存儲試驗 HTSL(High Temperature Storage) | TA=150℃，1000Hrs | JESD22-A103&A113 | 22/45/77 | 0/1 |
| 不偏壓高速老化 UHAST (Unbiased Temperature/Humidity) | 130℃；85% RH ； 96hrs | JESD22A-118 | 22/45/77 | 0/1 |
| 溫度循環(huán) TC(Temperature Cycling) | -65℃~+150℃, Tdwell ≥10min,500 cycles | JESD22-A104 | 22/45/77 | 0/1 |
| 耐焊接熱 RSH(Resistance to Solder Heat) | SDM: A111 or J-STD-020 THMD: B1016 | JESD22A-A113 J-STD-020 | 10 | 0/1 |
| 易焊性 SD(Solder ability) | 245℃,5s，solder area>95% | JESD22-B102 | 10 | 0/1 |
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